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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3052
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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