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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3758
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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