RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
39
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2443
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link