RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2107
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link