RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2622
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link