RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
43
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2615
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link