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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2981
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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