Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Puntuación global
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 30
    En 10% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 16.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.1 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    23400 left arrow 21300
    En 1.1 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 16.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 13.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 23400
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2756 left arrow 3310
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones