RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2389
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link