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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2231
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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