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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
45
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2925
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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