RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2163
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link