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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2432
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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