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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB vs Kingston KF556C40-16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
Kingston KF556C40-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KF556C40-16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR5
Latencia en PassMark, ns
24
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.3
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2256
3458
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF556C40-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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