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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
2638
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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