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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.1
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2090
3019
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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