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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
11.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2545
2786
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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