RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
32
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
3516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link