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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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