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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
2475
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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