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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
2949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
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