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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
2473
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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