RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3122
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link