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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2971
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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