RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
29
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3232
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link