RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link