RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2460
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link