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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
29
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3934
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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