RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link