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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2848
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
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