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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2489
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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