RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link