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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
29
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3188
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
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