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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3786
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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