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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3245
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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