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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1970
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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