RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
47
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
47
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2341
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link