RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
47
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
47
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2341
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link