RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2209
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link