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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2462
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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