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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3467
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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