RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
56
En 48% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
56
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2071
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link