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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
71
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
71
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1767
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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