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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3406
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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