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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2193
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
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