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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2414
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
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