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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
81
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
81
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1824
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
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