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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1839
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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