Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Puntuación global
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 55
    En 47% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.8 left arrow 13.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.8 left arrow 9.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 12800
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 55
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 15.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 13.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2423 left arrow 2701
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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