Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 29

En -7% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 12800

En 1.33 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2423 1767

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns