RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
39
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
3185
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link